中图分类法(36)
数理科学和化学(1)
工业技术(35)
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3.90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究
作者：周鹏举
论文级别：硕士
学位年度：2007
8.超薄绝缘层隧道磁阻磁头可靠性研究
作者：高雷
关键词：TMR ; 可靠性 ; 绝缘层 ; MgO
论文级别：硕士
学位年度：2008
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